一种电磁屏蔽结构
授权
摘要
本实用新型属于屏蔽材料制备技术领域，具体涉及一种电磁屏蔽结构。该电磁屏蔽结构包括载体；屏蔽体，设置在所述载体上；芯片，设置在所述载体上，且相邻屏蔽体间设置至少一个所述芯片，所述芯片的高度不大于所述屏蔽体的高度；塑封层，与所述芯片和所述屏蔽体设置于所述载体的同侧，且包覆所述屏蔽体和所述芯片。该结构将屏蔽体设置在载体上，然后再在载体上设置芯片，可以对芯片进行有效屏蔽，且该电磁屏蔽结构的封装体积小、工艺集成度高，降低了封装工艺的复杂度，可以满足电子产品轻薄短小的需求。
基本信息
专利标题 ：
一种电磁屏蔽结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922415361.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN211088262U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
肖克来提孙绪燕曹立强
申请人 ：
上海先方半导体有限公司;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区创新西路778号
代理机构 ：
北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 ：
周卫赛
优先权 ：
CN201922415361.3
主分类号 ：
H01L23/552
IPC分类号 ：
H01L23/552 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/552
防辐射保护装置，例如光
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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