键合界面层的热阻测量分析方法
实质审查的生效
摘要

本申请涉及热阻测量技术领域,尤其涉及一种键合界面层的热阻测量分析方法。本申请先在样品键合前,采用激光闪射法分别测量第一半导体材料层和第二半导体材料层的热扩散系数,计算各自的热导率,样品键合后采用激光闪射法得到样品表面的测量温升曲线,然后创建与样品相同结构参数的有限元导热仿真模型,并输入各项材料参数,将“键合界面层热导率”作为待拟合的变量,基于该模型拟合得到相匹配实验条件下的温升曲线,从而得到键合界面层的对应热导率λ0,最后计算得到键合界面热阻Rθ=h00。本申请具有测试周期短、成本低的特点,而且还可以较为精确地测量分析键合界面层热阻,为改进键合质量和提升器件散热能力提供了测试分析的依据。

基本信息
专利标题 :
键合界面层的热阻测量分析方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114462273A
申请号 :
CN202210069820.0
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2022-01-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孙华锐张旭何阳张亮辉
申请人 :
哈尔滨工业大学(深圳)
申请人地址 :
广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区
代理机构 :
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 :
方良
优先权 :
CN202210069820.0
主分类号 :
G06F30/23
IPC分类号 :
G06F30/23  G01N25/20  G06F119/08  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/23
使用有限元方法或有限差方法
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/23
申请日 : 20220121
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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