本发明公开了一种准二维薄膜制备方法，属于发光二极管和显示技术领域，解决了现有准二维薄膜制的工艺复杂和效率低的问题，其技术要点是：包括所述的钙钛矿薄膜是由三维钙钛矿纳米晶和准二维钙钛矿薄膜组成，其中三维钙钛矿纳米晶表面由合适长链有机配体进行改性，以适应薄膜内部的级联能量传递过程，通过在反溶剂中引入带有特定基团的三维钙钛矿纳米晶，在薄膜制备过程中纳米晶可以作为结晶种子，调控薄膜的结晶生长动力学过程，钝化内部缺陷，降低薄膜内部本身的非辐射复合机率，又可以构建小n相到三维钙钛矿纳米晶的额外载流子传输通道，促进光生载流子辐射复合有效地提高薄膜的光发射效率，具有制备工艺简单和效率高的优点。