一种基于极性加固技术的抗辐照SRAM存储电路
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于极性加固技术的抗辐照SRAM存储电路，包括八个NMOS晶体管和六个PMOS晶体管，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合，NMOS晶体管N3、N4和PMOS晶体管P1、P2作为上拉管，NMOS晶体管N1、N2、N5、N6作为下拉管；两个主存储节点Q与QN通过NMOS晶体管N8与N7分别与位线BL和BLB相连，两个冗余存储节点S1与S0通过PMOS晶体管P6与P5分别与位线BL和BLB相连，NMOS晶体管N7、N8由字线WL控制，PMOS晶体管P5、P6由字线WLB控制。上述电路能够提高SRAM存储单元的稳定性，并提高单元抗单粒子翻转能力。
基本信息
专利标题 ：
一种基于极性加固技术的抗辐照SRAM存储电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496026A
申请号 ：
CN202210081248.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢文娟刘海涛朱志国吕盼稂赵强彭春雨郝礼才蔺智挺吴秀龙
申请人 ：
安徽大学;合肥市微电子研究院有限公司;合肥海图微电子有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
代理机构 ：
北京凯特来知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑立明
优先权 ：
CN202210081248.X
主分类号 ：
G11C11/413
IPC分类号 ：
G11C11/413 G11C8/14 G11C7/18 G11C5/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/413
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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