一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元，包括4个NMOS晶体管和8个PMOS晶体管；内部存储节点I2和I3由P2和P3交叉耦合，外部存储节点I1和I4由N1和N2交叉耦合；P1和P4作为上拉管，P1和P4对I2和I3进行加固，I2和I3全部由PMOS晶体管包围，这构成了极性加固结构；I2通过P7连接到第BLB，I3通过P8连接到BL，I1通过N3连接到BL，I4通过N4连接到BLB，N3和N4由WL控制，P7和P8由WWL控制。本发明能够提高SRAM存储单元的抗单粒子翻转能力，而且可以在牺牲较小单元面积的情况下大幅提高SRAM存储单元写速度，降低了SRAM存储单元的功耗。
基本信息
专利标题 ：
一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496025A
申请号 ：
CN202210068744.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵强李正亚高珊郝礼才彭春雨卢文娟吴秀龙蔺智挺陈军宁
申请人 ：
安徽大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区九龙路111号
代理机构 ：
北京凯特来知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑立明
优先权 ：
CN202210068744.1
主分类号 ：
G11C11/413
IPC分类号 ：
G11C11/413 G11C8/14 G11C7/18 G11C5/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/413
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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