一种高频声表面波谐振器及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种高频声表面波谐振器及其制备方法,涉及5G通信的微电子器件,针对现有技术中键合转移温度高和机电耦合系数低等问题提出本方案。在高声速衬底远离第一衬底的端面设置第一键合金属层,在压电薄膜远离叉指电极的端面设置第二键合金属层,通过第一键合金属层与第二键合金属层完成压电薄膜与高声速衬底的键合处理。优点在于,与低温金属键合工艺兼容,金属键合的工作温度更低,可以大大降低器件的热应力。其次金属键合可以使得键合界面获得更大的键合能,器件更稳定。另外,以X切铌酸锂为压电薄膜,且叉指电极的垂直方向与压电薄膜Z轴成44°夹角,可以获得更高的机电耦合系数,从而提高器件的带宽。

基本信息
专利标题 :
一种高频声表面波谐振器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114513186A
申请号 :
CN202210089558.6
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-01-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
周长见李丹花郭思聪张传俊邓永健
申请人 :
华南理工大学
申请人地址 :
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 :
广州海心联合专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
冼俊鹏
优先权 :
CN202210089558.6
主分类号 :
H03H9/25
IPC分类号 :
H03H9/25  H03H3/08  H03H9/02  H03H9/145  
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/25
申请日 : 20220125
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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