一种薄膜声表面波谐振器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种薄膜声表面波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，该薄膜声表面波谐振器的制备方法包括：在单晶衬底上分别形成单晶压电薄膜层、平板电极层和第一键合材料层；在硅衬底上形成第二键合材料层；将第一键合材料层和第二键合材料层通过键合工艺以使得形成有第一键合材料层的单晶衬底与形成有第二键合材料层的硅衬底形成晶圆；通过刻蚀工艺去除晶圆一侧的单晶衬底以露出单晶压电薄膜层；在单晶压电薄膜层上分别形成叉指电极和反射栅，反射栅在硅衬底上的投影位于叉指电极在硅衬底上的投影的外侧。该薄膜声表面波谐振器及其制备方法能够制得单晶压电薄膜，并提高单晶压电薄膜的质量，同时，通过在单晶压电薄膜的下方增加平板电极，从而显著提高薄膜声表面波谐振器的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜声表面波谐振器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337580A
申请号 ：
CN202210009135.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林炳辉刘炎蔡耀詹道栋孙成亮孙博文
申请人 ：
武汉敏声新技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
崔熠
优先权 ：
CN202210009135.9
主分类号 ：
H03H9/02
IPC分类号 ：
H03H9/02 H03H9/145 H03H3/08
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/02
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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