声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器
公开
摘要
本发明提供一种声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器，具有高品质因素Q、高机电耦合系数、良好的TCF特性和耐功率性。本发明的声表面波谐振器，包括：复合压电衬底，该复合压电衬底具有：LGS基底层，该LGS基底层由单晶LGS形成，及形成在LGS基底层之上的GaN压电层，该GaN压电层的厚度不超过在声表面波谐振器中传播的声波波长的20倍；以及形成在GaN压电层上的叉指电极。
基本信息
专利标题 ：
声表面波谐振器及其制造方法、以及声表面波滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114584101A
申请号 ：
CN202210230145.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许欣
申请人 ：
广东广纳芯科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号607房
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
俞丹
优先权 ：
CN202210230145.5
主分类号 ：
H03H9/02
IPC分类号 ：
H03H9/02 H03H9/25 H03H9/64 H03H3/10 H03H9/145
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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