谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备

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摘要

一种谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备，制造方法包括：提供晶圆级衬底，包括压电振荡有效区，压电振荡有效区的衬底上形成有声学换能器；在压电振荡有效区的衬底上形成覆盖声学换能器的牺牲层；形成覆盖牺牲层的第一盖帽层；在第一盖帽层中形成至少一个释放孔；通过释放孔去除牺牲层，形成空腔；去除牺牲层后，形成覆盖第一盖帽层的第二盖帽层，第二盖帽层密封释放孔。所述空腔采用半导体工艺所形成，形成牺牲层和去除牺牲层的工艺简单，这降低了制造谐振器的工艺复杂度，而且，所述第一盖帽层与衬底的结合强度高、第二盖帽层和第一盖帽层的结合强度高，且第一盖帽层和第二盖帽层对所述空腔的密封性较好，这相应提高了谐振器的可靠性。

基本信息

专利标题：

谐振器及其制造方法、滤波器、电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112117979A

申请号：

CN201910760041.3

公开（公告）日：

2020-12-22

申请日：

2019-08-16

授权号：

CN112117979B

授权日：

2022-05-17

发明人：

黄河向阳辉

申请人：

中芯集成电路（宁波）有限公司

申请人地址：

浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

高静

优先权：

CN201910760041.3

主分类号：

H03H3/02

IPC分类号：

H03H3/02 H03H9/02 H03H9/10 H03H9/145 H03H9/15