用于表面增强拉曼散射的基片、基片的制备方法及其应用
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种用于表面增强拉曼散射的基片，所述基片包括：铜基体；和碘化亚铜钝化膜，形成于所述铜基体的表面。本公开还提供了一种用于表面增强拉曼散射的基片的制备方法和应用该基片进行表面增强拉曼散射的方法。
基本信息
专利标题 ：
用于表面增强拉曼散射的基片、基片的制备方法及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114544586A
申请号 ：
CN202210109567.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李世林凌云汉张政军陈诚林鹰
申请人 ：
清华大学;广西三环高科拉曼芯片技术有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园1号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
任岩
优先权 ：
CN202210109567.7
主分类号 ：
G01N21/65
IPC分类号 ：
G01N21/65 C25D11/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/65
喇曼散射
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/65
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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