一种介质增强拉曼散射芯片及其制备方法与应用
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种介质增强拉曼散射芯片及其制备方法与应用,所述介质增强拉曼散射芯片包括层叠设置的衬底和金属层;所述衬底和金属层之间还设置有周期性阵列的介质纳米结构;所述介质纳米结构的周期性阵列单元之间彼此独立。所述制备方法包括以下步骤:(1)在衬底表面制备周期性阵列的介质纳米结构,得到中间芯片;(2)在步骤(1)所得中间芯片的介质纳米结构一侧表面沉积金属层,得到介质增强拉曼散射芯片。本发明提供的介质增强拉曼散射芯片具有灵敏度高、检出信号均一性高等优点,易于实现批量化制备加工,在医药、环境、食品和安防等领域的痕量物质检测和监测方面具有广泛应用。

基本信息
专利标题 :
一种介质增强拉曼散射芯片及其制备方法与应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114280028A
申请号 :
CN202111640976.1
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈佩佩褚卫国田毅胡海峰
申请人 :
国家纳米科学中心
申请人地址 :
北京市海淀区中关村北一条11号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
赵颖
优先权 :
CN202111640976.1
主分类号 :
G01N21/65
IPC分类号 :
G01N21/65  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发,因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/65
喇曼散射
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/65
申请日 : 20211229
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332