一种表面增强拉曼散射芯片及其制备方法与应用
公开
摘要
本发明提供一种表面增强拉曼散射芯片及其制备方法与应用，所述表面增强拉曼散射芯片包括衬底和设置于所述衬底表面周期性阵列的介质纳米结构；所述介质纳米结构的侧壁和衬底的上表面设置有金属层；所述衬底的上表面为设置有介质纳米结构的一侧表面。所述制备方法包括以下步骤：(1)在衬底表面制备周期性阵列的介质纳米结构，得到第一芯片；(2)在步骤(1)所得第一芯片的介质纳米结构一侧表面沉积金属层，得到第二芯片；(3)将步骤(2)所得第二芯片中介质纳米结构顶面的金属层去除，保留介质纳米结构侧壁和衬底上表面的金属层，得到表面增强拉曼散射芯片。所述表面增强拉曼散射芯片显著提升了光谱利用率，具有更高的检测灵敏度。
基本信息
专利标题 ：
一种表面增强拉曼散射芯片及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114295599A
申请号 ：
CN202111644034.0
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈佩佩褚卫国胡海峰田毅
申请人 ：
国家纳米科学中心
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村北一条11号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
赵颖
优先权 ：
CN202111644034.0
主分类号 ：
G01N21/65
IPC分类号 ：
G01N21/65
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/65
喇曼散射
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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