一种表面增强拉曼芯片
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种表面增强拉曼芯片，所述表面增强拉曼芯片包括衬底，设置于衬底一侧表面的纳米柱阵列；所述衬底表面及纳米柱阵列的表面覆盖金属层；所述衬底表面的金属层以及纳米柱阵列的顶面金属层，覆盖有钝化层。所述表面增强拉曼芯片的结构简单，通过本领域常规方法即可制备，该表面增强拉曼芯片的结构能够提高纳米柱阵列的侧壁利用率，具有活性强、稳定性好以及重现性高等优势，便于在物质检测领域中的推广应用。
基本信息
专利标题 ：
一种表面增强拉曼芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114324293A
申请号 ：
CN202111644041.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡海峰褚卫国陈佩佩田毅闫兰琴
申请人 ：
国家纳米科学中心
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村北一条11号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
赵颖
优先权 ：
CN202111644041.0
主分类号 ：
G01N21/65
IPC分类号 ：
G01N21/65
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/65
喇曼散射
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/65
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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