本发明涉及一种具有宽带性能的芯片电容器，包括从下至上依次层叠的下电极层、介质层和上电极层；所述介质层内包括m层第一内电极和n层第二内电极；所述第一内电极和所述第二内电极交替层叠，形成层叠结构；其中，m≥1，n≥1；每一所述第一内电极和每一所述第二内电极之间存在间隙；所述上电极层包括第一外电极和第二外电极，所述第一外电极和所述第二外电极分别与每一所述第二内电极连接；所述下电极层包括第三外电极和第四外电极，所述第三外电极和所述第四外电极分别与每一所述第一内电极连接。本发明的芯片电容器具有高容量密度、寄生电感小、等效串联电阻低及使用频率高的特点，适用于引线键合的微处理工艺，符合小型化的制造要求。