芯片形式超级电容器
公开
摘要
芯片形式超级电容器。公开一种适合于使用焊料回流工艺安装在印刷电路板上的储能设备。在一些实施例中，所述设备包括：密封的壳主体(例如，其上附接有盖的下主体)，所述密封的壳主体包括设置在所述主体内的正极内部接触件和负极内部接触件(例如，金属接触垫)，并且每个接触件相应地与正极外部接触件和负极外部接触件电连通。所述外部接触件中的每个都提供到主体外部的电连通，并且可以设置在所述主体的外表面上。双电层电容器(EDLC)(在本文中也称为“超级电容器”或“超级电容”)储能单元设置在所述主体中的空腔内，包括交替的电极层和电绝缘分隔体层的堆叠体。电解质设置在所述空腔内并且润湿所述电极层。
基本信息
专利标题 ：
芯片形式超级电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613616A
申请号 ：
CN202210292161.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2018-10-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尼科洛·布兰比拉约翰·海德怀亚特·安德烈苏希尔·M·J·卡拉巴图拉约瑟夫·K·莱恩
申请人 ：
快帽系统公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡胜有
优先权 ：
CN202210292161.7
主分类号 ：
H01G11/76
IPC分类号 ：
H01G11/76 H01G11/78 H01G11/84
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G11/00
混合电容器，即具有不同正极和负极的电容器；双电层电容器；其制造方法或其零部件的制造方法
H01G11/74
端子，如集电体的延伸
H01G11/76
特别适用于多重或叠层混合电容器或双电层电容器的集成
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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