一种多层阵列式芯片电容器
授权
摘要
本实用新型涉及电子元件技术领域，公开了一种多层阵列式芯片电容器，包括多层芯片电容器组，所述多层芯片电容器组包括若干只并联连接的多层芯片电容器，所述多层芯片电容器包括上电极和下电极，若干只多层芯片电容器的下电极连接为整体，每两只多层芯片电容器的上电极之间设置未金属化的通道。本实用新型将两只或者多只多层芯片电容器集成至一只电容器中，通过将上电极图形化，将下电极整体连接，在一只电容器上实现多只电容器组成的并联功能。本实用新型安装简单，节省安装空间，降低组装复杂性和组装成本。
基本信息
专利标题 ：
一种多层阵列式芯片电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920973550.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-26
授权号 ：
CN210039942U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
赵军胜吴良臣黄琳赵祥
申请人 ：
成都宏科电子科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市经济技术开发区（龙泉驿）星光中路20号
代理机构 ：
成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陶红
优先权 ：
CN201920973550.X
主分类号 ：
H01G4/38
IPC分类号 ：
H01G4/38 H01G4/30 H01G4/232
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/38
多联电容器，即固定电容器的结构组合
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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