一种堆叠纳米片结构的测量模型构建方法、测量方法
公开
摘要
本发明属于芯片结构测量技术领域，公开了一种堆叠纳米片结构的测量模型构建方法、测量方法。本发明将成分测量值引入至OCD初始模型并作为约束条件，可以减少OCD模型中牺牲层横向刻蚀深度值的迭代范围，减少测量误差，能够有效提高堆叠纳米片结构横向刻蚀深度测量的稳定度，对OCD初始模型中所有牺牲层的刻蚀深度灵敏度进行逐层分析，判断是否存在刻蚀深度灵敏度一致的牺牲层，若存在则进行模型优化，确保所有牺牲层对应不同的刻蚀深度灵敏度，能够防止测量过程中产生信号串扰，提高测量精度。
基本信息
专利标题 ：
一种堆叠纳米片结构的测量模型构建方法、测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114623777A
申请号 ：
CN202210154984.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋毅杨德坤
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
代理机构 ：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
胡琦旖
优先权 ：
CN202210154984.3
主分类号 ：
G01B11/22
IPC分类号 ：
G01B11/22 G01N21/65 G01N23/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01B
长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量
G01B11/00
以采用光学方法为特征的计量设备
G01B11/22
用于计量深度
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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