本发明提供一种基于氮化物半导体异质结的载片低功耗温度传感器，其包括整流器件和阻性器件，所述整流器件和阻性器件制备于同片氮化物半导体异质结上。整流器件和阻性器件电学相串联。在电学偏压下，整流器件和阻性器件的电学性质随温度变化而改变：整流器件开启后的电阻随着温度升高而减小，阻性器件电阻随着温度升高而增加。本发明的温度传感器的制备工艺与氮化物半导体异质结电子器件工艺相兼容，无需额外设计新的制备工艺以及材料，即可实现在同一块异质结芯片上的温度探测以及信号放大功能，达到精准、实时、低功耗芯片测温以及节省制备成本的目的。