温度控制装置、温度控制方法以及载置台
授权
摘要

提供一种温度控制装置、温度控制方法以及载置台。在加热器发生了断线的情况下也将被处理基板的温度控制的精度维持为高精度。基板处理装置具备静电卡盘、控制部以及多个加热器。静电卡盘的内部的各分割区域分别嵌入有多个加热器。在各分割区域中被嵌入的多个加热器并联连接。控制部针对每个分割区域,基于流过被嵌入到分割区域的多个加热器的电流的合计值来判定被嵌入到每个分割区域的加热器的一部分有无断线。然后,控制部在判定为被嵌入到分割区域的加热器的一部分发生了断线的情况下进行控制,以使得流过被嵌入到加热器的一部分发生了断线的分割区域内的每一个加热器的电流比流过所有加热器都没有发生断线的分割区域内的每一个加热器的电流多。

基本信息
专利标题 :
温度控制装置、温度控制方法以及载置台
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN107919301A
申请号 :
CN201710935336.0
公开(公告)日 :
2018-04-17
申请日 :
2017-10-10
授权号 :
CN107919301B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
小泉克之金子健吾
申请人 :
东京毅力科创株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘新宇
优先权 :
CN201710935336.0
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  H01J37/32  
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-17 :
授权
2018-05-11 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20171010
2018-04-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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