控制衬底温度的方法和装置
发明专利申请公布后的驳回
摘要

本发明提供一种在处理期间控制衬底温度的底座组件和方法。在一个实施例中,底座组件包括耦合到金属基座的静电卡盘。静电卡盘包括至少一个卡盘电极,金属基座包括至少两个设置在其中的流体隔离的导管环。在另一实施例中,基座组件包括通过材料层耦合到基座的支撑构件。材料层具有至少两个具有不同导热系数的区域。在另一实施例中,支撑衬底示静电卡盘。在另一实施例中,底座组件具有形成在基座和支撑构件之间的沟道,用于在材料层附近提供冷却气体以进一步控制在支撑构件和基座之间的传热,由此控制设置在支撑构件上的衬底的温度分布曲线。

基本信息
专利标题 :
控制衬底温度的方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1779938A
申请号 :
CN200510116536.0
公开(公告)日 :
2006-05-31
申请日 :
2005-10-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
约翰·霍兰德瑟多若斯·帕纳果泊洛斯
申请人 :
应用材料公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 :
肖善强
优先权 :
CN200510116536.0
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  H01L21/00  H01L21/67  C23C16/00  C23C14/00  C23F4/00  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2009-06-03 :
发明专利申请公布后的驳回
2007-02-28 :
实质审查的生效
2006-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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