一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法，本发明的硅神经电极具有特定的探针间连接弧度，特定的厚度，宽度以及长度；其通过结合无接触低应力的探针制备方法制备得到。本发明的超高深宽比的硅神经探针能更好的植入体内采集数据，并实现超高深宽比，超高密度、超大范围的跨尺度神经信号采集。
基本信息
专利标题 ：
一种超高深宽比的硅神经电极及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114587366A
申请号 ：
CN202210183520.5
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康晓洋王爱萍张静刘鲁生王君孔帅
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
上海正旦专利代理有限公司
代理人 ：
王洁平
优先权 ：
CN202210183520.5
主分类号 ：
A61B5/262
IPC分类号 ：
A61B5/262 A61B5/293
IPC结构图谱
A
A部——人类生活必需
A61
医学或兽医学；卫生学
A61B
诊断；外科；鉴定
A61B5/262
针状电极
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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