一种硅压力传感器的温度补偿方法
实质审查的生效
摘要

本发明涉及传感器技术领域,且公开了一种硅压力传感器的温度补偿方法,包括步骤,首先定义一组参数,采集数据,在不同的温度点和不同压力点下,对压力传感器的输出和桥路电压值进行采集,观察传感器的输出数据与桥路电压数据随基准压力值是单调增加,还是单调减少,该硅压力传感器的温度补偿方法,通过使传感器的输出与桥路电压进行数学运算的结果用作温度信息对传感器进行温度补偿,使得压力传感器的温度信息对压力信息不敏感,从而提高了压力传感器的温度补偿精度。对比用外置温度传感器进行测温补偿的方法,本发明所用的硬件开销较少,并且克服了外置温度传感器与压力传感器的温度梯度问题,用该方法可提高传感器在快速温变环境中的精度。

基本信息
专利标题 :
一种硅压力传感器的温度补偿方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114509190A
申请号 :
CN202210189487.7
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-02-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赵虎申建武徐林鹏王淞立
申请人 :
西安思微传感科技有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区团结南路35号研发中心6层618室
代理机构 :
北京华沛德权律师事务所
代理人 :
修雪静
优先权 :
CN202210189487.7
主分类号 :
G01L1/18
IPC分类号 :
G01L1/18  G01L9/06  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质,即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01L 1/18
申请日 : 20220228
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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