超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置
公开
摘要
本发明提供了一种超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置，所述超掺杂硅太阳能电池包括金属栅线、超掺杂硅层、衬底、钝化层、定域浓硼重掺杂层和背面接触电极，其中，衬底的正面具有减反射绒面；超掺杂硅层设置在所述减反射绒面上，超掺杂硅层为金属或非金属超掺杂层，其表面为硅锥、硅粒或孔洞构成的超掺杂硅减反射层；金属栅线设置在超掺杂硅层上；氧化铝钝化层设置在衬底的背面，钝化层上设置有镂空的区域；定域浓硼重掺杂层设置在钝化层的镂空区域中且与衬底的背面接触；背面接触电极设置在钝化层的镂空区域中且与定域浓硼重掺杂层接触。本发明具有光谱吸收范围广、制作成本低、节约资源、器件稳定性高等优点。
基本信息
专利标题 ：
超掺杂硅太阳能电池及其制备方法、以及真空镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582992A
申请号 ：
CN202210208038.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
温才石中奇陈青杨洪旺刘德雄杨永佳李晓红李同彩唐金龙
申请人 ：
四川蜀旺新能源股份有限公司
申请人地址 ：
四川省绵阳市经济技术开发区南湖电子信息工业园
代理机构 ：
成都中玺知识产权代理有限公司
代理人 ：
任洁
优先权 ：
CN202210208038.2
主分类号 ：
H01L31/0288
IPC分类号 ：
H01L31/0288 H01L31/068 H01L31/18 C23C14/26 C23C14/30 C23C14/50
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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