钙钛矿光电器件及其制备方法
公开
摘要
本发明属于光电技术领域，公开了一种钙钛矿光电器件及其制备方法，方法包括：制备器件半成品，器件半成品包括依次连接的导电基底、第一电荷传输层和钙钛矿吸光层；在顶电极层上沉积第二电荷传输层并进行后处理，获得目标电极层；将目标电极层平整放置于器件半成品上，保持第二电荷传输层与钙钛矿吸光层背离第一电荷传输层的一面相贴合；进行加压处理获得钙钛矿光电器件。本发明通过将部分界面电荷传输层在顶电极层上制备后再压制在钙钛矿吸光层上方，无需引入溶剂制备钙钛矿吸光层上方的界面电荷传输层，可以避免电荷传输层的材料选择范围受限于溶剂，扩大电荷传输层的材料选择范围，同时降低钙钛矿光电器件的制备成本。
基本信息
专利标题 ：
钙钛矿光电器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613912A
申请号 ：
CN202210217320.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙雪黄锋刘桂雄马婷婷张力玲袁筱东杨叶花蔡永洪
申请人 ：
广州计量检测技术研究院
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区科学城尖塔山路19号
代理机构 ：
广州广典知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王东平
优先权 ：
CN202210217320.7
主分类号 ：
H01L51/48
IPC分类号 ：
H01L51/48 H01L51/56 H01L51/42 H01L51/44 H01L51/50 H01L51/52
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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