荷电化聚噻吩改性MXene导热填料的制备方法及导热复合材...
实质审查的生效
摘要
一种荷电化聚噻吩改性MXene导热填料的制备方法及导热复合材料，其中制备方法包括步骤：以3‑溴噻吩为原料，经锂卤交换反应得到3‑(6‑溴己基)噻吩，再通过溴化反应，得到2,5‑二溴‑3‑(6‑溴己基)噻吩；以2,5‑二溴‑3‑(6‑溴己基)噻吩作为单体，先通过聚合反应得到聚噻吩，再通过荷电化反应得到荷电化聚噻吩；将荷电化聚噻吩与MXene纳米片通过溶液共混对MXene纳米片改性，得到荷电化聚噻吩改性MXene导热填料。本发明荷电化聚噻吩改性MXene导热填料的制备方法及导热复合材料将荷电化聚噻吩与MXene纳米片通过溶液共混法实现对MXene纳米片改性，得到荷电化聚噻吩改性MXene导热填料。
基本信息
专利标题 ：
荷电化聚噻吩改性MXene导热填料的制备方法及导热复合材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114525001A
申请号 ：
CN202210218640.4
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钱家盛丁伯阳伍斌
申请人 ：
安徽大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号
代理机构 ：
西安杜诺匠心专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏雪雪
优先权 ：
CN202210218640.4
主分类号 ：
C08L27/16
IPC分类号 ：
C08L27/16 C08L65/00 C08K3/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C08
有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物
C08L
高分子化合物的组合物
C08L27/00
具有1个或更多的不饱和脂族基化合物的均聚物或共聚物的组合物，每个不饱和脂族基只有1个碳-碳双键，并且至少有1个是以卤素为终端；此种聚合物衍生物的组合物
C08L27/02
未用化学后处理改性的
C08L27/12
含氟原子
C08L27/16
偏二氟乙烯的均聚物或共聚物
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C08L 27/16
申请日 : 20220302
申请日 : 20220302
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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