一种硅反应装置
公开
摘要
本发明涉及一种硅反应装置，包括主进气部以及腔体，主进气部与腔体一体成型并连通，主进气部上设置有多个主进气孔，腔体的侧壁上设置有多个侧进气孔，侧进气孔的进气方向与主进气孔的进气方向呈0‑90°。本发明能够提高硅反应装置内硅片表面温度的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种硅反应装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597145A
申请号 ：
CN202210226245.0
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王美玲田才忠贾海立
申请人 ：
盛吉盛半导体科技（北京）有限公司;盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区荣华南路15号院2号楼7层703室（北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团）
代理机构 ：
北京市竞天公诚律师事务所
代理人 ：
陈果
优先权 ：
CN202210226245.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 F17D1/02 F17D3/01
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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