一种大功率高电压晶体管的实现方法
公开
摘要
本发明提供了一种大功率高电压晶体管的实现方法，包括：在n型硅衬底上依次生长n+外延层与n‑外延层；生长栅极氧化层，淀积多晶硅层；形成栅极图案和p‑沟道区的图案，通过硼离子掺杂和硼扩散形成p‑沟道区；光刻定义晶体管n+源极区与n+漏极区图形，通过磷离子掺杂和扩散形成n+源极区与n+漏极区；对n+源极区与n+漏极区进行退火，将晶体管中的n+源极和n+漏极、栅极氧化层以及多晶硅层的交界区氧化至最佳厚度；淀积层间氧化物，光刻与刻蚀形成与栅极,源极和漏极的欧姆接触窗口，淀积金属层，形成晶体管的金属化互联。既可消除对n+源极区中的栅极氧化层的刻蚀，也可以防止对栅极氧化层的底部切入，同时，也消除了栅极氧化物延栅极边缘击穿的可能性。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率高电压晶体管的实现方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613679A
申请号 ：
CN202210250415.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈宏赵大国林和洪学天王尧林牛崇实黄宏嘉
申请人 ：
弘大芯源（深圳）半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航城大道159号航城创新创业园A3栋二层210
代理机构 ：
北京冠和权律师事务所
代理人 ：
赵银萍
优先权 ：
CN202210250415.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/06 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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