一种实现薄膜晶体管防护的制备方法

实质审查的生效

摘要

本发明公开了一种实现薄膜晶体管防护的制备方法。本发明先在有源层上方旋涂一层较薄的阻挡层，然后通过一种打印刻蚀的方式，利用导电墨水的溶剂对阻挡层进行定位刻蚀，在外向马朗格尼流动下，绝缘的阻挡层溶质被迁移到外围，而中心形成了较薄且均匀平坦的电极层，进而改善了有源层与导电层之间的界面接触，同时实现了TFT器件的有效防护，工艺简单、耗时短且适于大面积制备。

基本信息

专利标题：

一种实现薄膜晶体管防护的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114446794A

申请号：

CN202111600699.1

公开（公告）日：

2022-05-06

申请日：

2021-12-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

宁洪龙刘泰江姚日晖钟锦耀邹文昕吴振宇张康平郭晨潇付钰斌彭俊彪

申请人：

华南理工大学

申请人地址：

广东省广州市天河区五山路381号

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司

代理人：

殷妹

优先权：

CN202111600699.1

主分类号：

H01L21/34

IPC分类号：

H01L21/34 H01L29/786

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/34

具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件

法律状态

2022-05-24 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 21/34
申请日 : 20211224

2022-05-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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