一种高纯锑化镉的制备方法和应用
公开
摘要
本发明提供了一种高纯锑化镉的制备方法和应用，属于材料制备领域。本发明制备方法包括以下步骤：(1)将锑源和镉源置于反应容器中；所述锑源和镉源的摩尔比为：1：(1.1～1.5)；(2)将步骤(1)的反应容器置于惰性气氛中进行程序烧结处理后，随炉降温即可得到高纯锑化镉。本发明巧妙的利用镉和锑单质熔融后饱和蒸气压的差距，采用熔融镉、熔融锑化镉、熔融锑三个保温阶段的煅烧，在保证镉能将锑完全反应的同时，降低产品中游离镉的含量，制备出接近化学计量比的高纯锑化镉。
基本信息
专利标题 ：
一种高纯锑化镉的制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114590837A
申请号 ：
CN202210256182.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
文崇斌周荣艳朱刘童培云
申请人 ：
先导薄膜材料（广东）有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号A区
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈静
优先权 ：
CN202210256182.3
主分类号 ：
C01G30/00
IPC分类号 ：
C01G30/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G30/00
锑的化合物
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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