一种基于数值模拟的碲化铋晶体的制备方法
公开
摘要
本发明涉及基于数值模拟的碲化铋晶体的制备方法，包含如下步骤：1)依据区域熔炼生长炉和碲化铋原料的形态建立对应的三维模型；2)将三维模型导入有限元热学模拟软件，设置区域熔炼生长炉内的承载部件和碲化铋原料的热力学参数；3)设置区域熔炼生长炉的初始加热温度为T0，初始移动速度为V0，进行初始模拟熔炼；4)初始模拟熔炼结束后进行参数优化，将V0调整为V1，将T0调整为T1，再次进行模拟熔炼；5)重复n次上述步骤4)，n≥1，直至得到目标熔化区域长度和目标熔化界面曲率，确定出区域熔炼生长炉的目标加热温度Tn，目标移动速度为Vn；6)采用步骤5)得到的Tn和Vn，制备碲化铋晶体。
基本信息
专利标题 ：
一种基于数值模拟的碲化铋晶体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114595613A
申请号 ：
CN202210261268.5
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许庆彦夏鹄翔冯秋水
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园1号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202210261268.5
主分类号 ：
G06F30/23
IPC分类号 ：
G06F30/23 G06T17/00 C30B13/30 C30B29/46 G06F119/08 G06F111/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/23
使用有限元方法或有限差方法
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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