一种集成温度校准的片上电磁传感器
公开
摘要
本发明属于电磁传感器技术领域，具体提供一种集成温度校准的片上电磁传感器，用以解决现有片上电磁传感器中面临的温度影响灵敏度与使用寿命的问题。本发明在CMOS工艺下实现了温度传感器与电磁传感器的全集成设计，并且，温度传感器产生低功耗温度感应PTAT基准电流，并作为霍尔传感器偏置电流使其与温漂电流抵消，有效降低温度对电磁感应电压的影响，即实现霍尔传感器的温度校准；同时，采用环形振荡器在PTAT电流驱动下输出PTAT感应频率，并作为时钟处理电路的内部时钟信号，既能节约外部晶振，又能实现开关电容低通滤波器的温度自适应滤波；另外，温度传感器与电磁传感器增加PD控制端，实现断电芯片保护。
基本信息
专利标题 ：
一种集成温度校准的片上电磁传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114608622A
申请号 ：
CN202210264599.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康凯于松立刘辉华吴韵秋赵晨曦余益明
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
甘茂
优先权 ：
CN202210264599.4
主分类号 ：
G01D5/14
IPC分类号 ：
G01D5/14 G01D18/00 G01K1/02 H03F3/68 H03H7/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01D
非专用于特定变量的测量；不包含在其他单独小类中的测量两个或多个变量的装置；计费设备；非专用于特定变量的传输或转换装置；未列入其他类目的测量或测试
G01D5/00
用于传递传感构件的输出的机械装置；将传感构件的输出变换成不同变量的装置，其中传感构件的形式和特性不限制变换装置；非专用于特定变量的变换器
G01D5/12
采用电或磁装置
G01D5/14
影响电流或电压的大小
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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