一种用于X射线关键尺寸测量的纳米结构散射场计算方法
公开
摘要
本发明属于X射线关键尺寸测量方法领域，具体涉及一种用于X射线关键尺寸测量的纳米结构散射场计算方法，包括：将位于XOZ坐标系中的曲线与XOZ坐标系的X坐标轴所围成的区域，描述为纳米结构周期单元的截面轮廓，X坐标轴代表纳米结构周期单元在实体空间周期性排布的方向，Z坐标轴代表与纳米结构所位于的基底平面相垂直的方向；上述曲线通过在XOZ坐标系中选点计算生成；通过非均匀快速傅里叶变换计算截面轮廓在倒易空间中特定坐标位置处的倒易空间数值，作为纳米结构的形状因子以计算纳米结构散射场。本发明适用于任意截面面型的纳米结构，解决了现有只能通过简单几何形状叠加来描述截面轮廓所存在的建模困难和拟合程度差问题。
基本信息
专利标题 ：
一种用于X射线关键尺寸测量的纳米结构散射场计算方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114593700A
申请号 ：
CN202210272322.6
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈修国张家豪杨天娟马健源刘世元
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
华中科技大学专利中心
代理人 ：
尹丽媛
优先权 ：
CN202210272322.6
主分类号 ：
G01B15/00
IPC分类号 ：
G01B15/00 G01B15/04 G06F17/14 G06F17/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01B
长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量
G01B15/00
以采用波或粒子辐射为特征的计量设备
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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