带隙基准瞬态启动增强电路
授权
摘要

本实用新型提供带隙基准瞬态启动增强电路,所述电路包括:电压复制模块,用于根据带隙基准电压源主体电路的第一输出端输出的镜像电流,得到带隙基准驱动电压;负反馈环路模块,用于对带隙基准驱动电压进行稳压;逻辑翻转模块,用于根据带隙基准电压源主体电路的第二输出端输出的当前电压值,输出相对应的逻辑控制信号;开关电流源模块,用于根据逻辑控制信号控制对所述带隙基准电压源主体电路的第二输出端的充电状态;解决了现有技术中输出端的负载电容对带隙基准电压源主体电路开启速度产生影响的问题,实现对带隙基准电压源主体电路输出电压开启的瞬态增强,能够大幅降低带隙基准电压源主体电路输出电压达到稳定值的时间。

基本信息
专利标题 :
带隙基准瞬态启动增强电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202220518610.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2022-03-09
授权号 :
CN216748573U
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
刘浩宇黄科苗小雨
申请人 :
四川中微芯成科技有限公司
申请人地址 :
四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区吉庆三路333号1栋3单元22楼2201号
代理机构 :
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
黄妍
优先权 :
CN202220518610.0
主分类号 :
G05F3/26
IPC分类号 :
G05F3/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制;调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2022-06-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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