使用内部固件执行自验证的NAND存储器中的数据保护
公开
摘要
本公开提供了一种用于NAND存储器的数据保护的方法。该方法可以包括根据编程数据对NAND闪速存储器设备的选定页进行编程。对选定页的编程可以包括多个编程操作和多个验证操作，其中，多个验证操作中的验证操作在多个编程操作中的对应的编程操作之后执行，以根据编程数据来确定选定页的已编程存储单元是否具有阈值电压电平。方法还可以包括基于多个验证操作中的每一个验证操作返回通过结果来确定对选定页的编程的完成。方法还可以包括在确定之后，由NAND闪速存储器设备对选定页执行读取操作，以根据编程数据来对存储在选定页处的数据进行自验证。
基本信息
专利标题 ：
使用内部固件执行自验证的NAND存储器中的数据保护
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586102A
申请号 ：
CN202280000386.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何有信
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
于景辉
优先权 ：
CN202280000386.9
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C16/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
