使用由内部固件进行的自验证的NAND存储器的双重编程调试...
公开
摘要
本公开提供了一种使用NAND自验证来调试闪存器件的方法。该方法可以包括根据第一和第二编程数据对NAND闪存器件的选定页进行编程。选定页可以包括与字线对应的多个存储单元。对选定页的编程可以包括多个编程操作和多个验证操作。多个验证操作中的验证操作可以在多个编程操作中的对应编程操作之后执行，以根据第一或第二编程数据确定选定页的已编程存储单元是否具有阈值电压电平。该方法还可以包括对选定页执行自验证以确定存储在选定页处的数据是否被过写了，并且在确定了存储在选定页处的数据被过写了时生成失败指示。
基本信息
专利标题 ：
使用由内部固件进行的自验证的NAND存储器的双重编程调试方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586101A
申请号 ：
CN202280000374.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何有信
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
于景辉
优先权 ：
CN202280000374.6
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C16/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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