微型箔式电阻应变计的制造方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
“微型箔式电阳应变计的制造方法”，属于计量、测试元件制造技术。本方法采用正性光刻胶光刻敏感栅，曝光光源为球形汞灯，采用0.8～12％氢氧化钾溶液作显影液，用离心法制基底膜，用浓度为55°～00°(波美)三氯化铁腐蚀液，一次腐蚀成型。采用此制造方法，能够制造丝栅宽度小于10微米的康铜敏感栅，基底面积为2mm2，敏感栅面积为0.5mm2，栅长为0.5mm，电阻值为120Ω，传递变形能力达1×10-2～2×10-2的微型箔式电阻应变计。它可用于应力分析测量和微型传感器敏感元件方面。
基本信息
专利标题 ：
微型箔式电阻应变计的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100133A
申请号 ：
CN85100133.5
公开（公告）日 ：
1986-08-06
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85100133B
授权日 ：
1988-03-23
发明人 ：
冯仁贤扬风河陆符聪
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
张秀珍
优先权 ：
CN85100133.5
主分类号 ：
H05K3/06
IPC分类号 ：
H05K3/06 G01B7/20 H01C17/00
法律状态
2001-10-10 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-07-11 ：
被视为撤回的申请
1989-07-12 ：
授权
1988-03-23 ：
审定
1986-08-06 ：
公开
1985-09-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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