一种间接耦合的硅光敏器件
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本发明公开了一种新结构的硅光敏器件。它与普通硅光敏器件不同，不是把输出光电流的二极管、三极管或达林顿结构晶体管直接做在接受入射光的PN结(简称受光PN结)上，而是把它们做在这个结的邻侧，抽取受光PN结的注入电流输出或放大后输出，由此组成一个光敏器件。这种结构能够避免受光PN结面积大造成硅光敏器件电特性差和成品率低等缺点，也为制造暗电流小、击穿电压好的新型硅光敏器件开辟了一条道路。
基本信息
专利标题 ：
一种间接耦合的硅光敏器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100228A
申请号 ：
CN85100228.5
公开（公告）日 ：
1986-09-24
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85100228B
授权日 ：
1987-07-15
发明人 ：
何民才
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌珞珈山
代理机构 ：
武汉大学专利事务所
代理人 ：
龚茂铭
优先权 ：
CN85100228.5
主分类号 ：
H01L31/10
IPC分类号 ：
H01L31/10
法律状态
1992-08-19 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1988-01-20 ：
授权
1986-09-24 ：
公开
1985-09-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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