浸渍阴极
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
在耐热多孔质基体内浸入电子发射材料的浸渍阴极，在此多孔质基体的电子发射面上敷以薄层，此薄层由高熔点金属和Sc(或Sc的氧化物)或者由高熔点金属与Sc及Sc的氧化物共同组成，该种浸渍阴极的特点就在于此。由于预先在基体内浸入电子发射材料，再加上形成了含Sc或Sc的氧化物的薄层，所以，由Ba、Sc和O组成的单原子层在电子发射面上就得以长寿命地存在下来。
基本信息
专利标题 ：
浸渍阴极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104881A
申请号 ：
CN85104881.1
公开（公告）日 ：
1987-01-07
申请日 ：
1985-06-26
授权号 ：
CN85104881B
授权日 ：
1988-12-21
发明人 ：
山本惠彦田口贞宪会田敏之
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
郁玉成
优先权 ：
CN85104881.1
主分类号 ：
H01J1/14
IPC分类号 ：
H01J1/14 H01J1/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/13
固体热阴极
H01J1/14
按材料特性区分的
法律状态
2001-02-14 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-09-27 ：
授权
1988-12-21 ：
审定
1987-01-07 ：
公开
1985-12-20 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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