浸渍阴极
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种浸渍阴极，其特点是在浸渍阴极圆片表面至少有两层薄膜：下面是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等组成的高熔点金属薄膜；上层是含Sc2O3的高熔点金属层，并覆盖于下层之上。浸渍阴极圆片是用电子发射材料浸渍难熔多孔质基体而制成。本发明也涉及有此阴极的电子管。此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层。
基本信息
专利标题 ：
浸渍阴极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86101082A
申请号 ：
CN86101082.5
公开（公告）日 ：
1986-08-20
申请日 ：
1986-02-06
授权号 ：
CN86101082B
授权日 ：
1988-12-28
发明人 ：
山本惠彦田口贞宪会田敏之度部勇人川濑进
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
徐汝巽
优先权 ：
CN86101082.5
主分类号 ：
H01J1/14
IPC分类号 ：
H01J1/14 H01J1/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J1/00
电极的、磁控装置的、屏的零部件及其设置或间隔，通用于两种以上基本类型的放电管或灯的零部件
H01J1/02
主电极
H01J1/13
固体热阴极
H01J1/14
按材料特性区分的
法律状态
1998-04-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-10-18 ：
授权
1988-12-28 ：
审定
1987-09-16 ：
实质审查请求
1986-08-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN86101082A.PDF
PDF下载
2、
CN86101082B.PDF
PDF下载
