制造α-氮气化硅粉末的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
公开了一种制造α-Si3N4含量高，具有细粒和均匀粒度的氮化硅粉末的方法。该方法包括把SiO粉末和C粉末，如果需要的话，还有Si粉末，和/或Si3N4的粉末一起混合，然后放在N2分压不低于2个大气压的一种氮化气氛中，在1,400-1,800℃温度下进行灼烧。
基本信息
专利标题 ：
制造α-氮气化硅粉末的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86104331A
申请号 ：
CN86104331.6
公开（公告）日 ：
1987-01-21
申请日 ：
1986-06-23
授权号 ：
CN1007724B
授权日 ：
1990-04-25
发明人 ：
上薗聪船桥敏彦内村良治小口征男
申请人 ：
川崎制铁株式会社
申请人地址 ：
日本兵库县
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
罗英铭
优先权 ：
CN86104331.6
主分类号 ：
C01B21/068
IPC分类号 ：
C01B21/068
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B21/00
氮；其化合物
C01B21/06
氮与金属、硅或硼的二元化合物
C01B21/068
与硅
法律状态
1998-08-19 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-01-02 ：
授权
1990-04-25 ：
审定
1988-07-20 ：
实质审查请求
1987-01-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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