高效率快速热退火设备
专利权有效期的续展
摘要
本实用新型是一种高效率热退火设备，它采用了高效聚光腔，具有升温速度快、功率消耗小、结构简单、成本较低的特点。该设备可用于超大规模集成电路浅结工艺以及高速和微波半导体器件工艺方面。
基本信息
专利标题 ：
高效率快速热退火设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN86208776.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1986-11-07
授权号 ：
CN86208776U
授权日 ：
1987-10-31
发明人 ：
贺令渝
申请人 ：
国营第706厂
申请人地址 ：
北京市8504信箱
代理机构 ：
电子工业部专利服务中心
代理人 ：
王淑贤
优先权 ：
CN86208776.7
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
1992-09-02 ：
专利权有效期的续展
1988-05-11 ：
授权
1987-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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