激光退火设备
授权
摘要
本实用新型公开一种激光退火设备，包括卸载单元，用于将晶片导入与导出该激光退火设备；制作工艺单元，用于对该晶片进行激光退火制作工艺；传送单元，用于在该卸载单元与该制作工艺单元之间传送该晶片；一承载元件，设置在该制作工艺单元中，用于托持该晶片；影像提取单元，设置在该制作工艺单元中并且位于该承载元件的上方，用于提取该晶片的检测晶片图；制作工艺监控单元，连接至该影像提取单元，用于判定该晶片是否异常。
基本信息
专利标题 ：
激光退火设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020145155.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-22
授权号 ：
CN211238169U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
谢凯王福金黄凯斌谈文毅
申请人 ：
联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市翔安区万家春路899号
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202020145155.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L21/324 H01L21/268 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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