一种测量方法和3D存储器件
授权
摘要
本申请公开了一种测量方法和3D存储器件。该测量方法包括：形成叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的多个牺牲层与多个层间绝缘层，所述叠层结构包括存储区和测量区；刻蚀所述叠层结构，在所述存储区形成台阶结构；在所述测量区形成周期性结构；刻蚀形成贯穿所述台阶结构的多个第一假沟道孔和贯穿所述周期性结构的多个第二假沟道孔；采用生长工艺在所述第一假沟道孔底部生长第一外延层，在所述第二假沟道孔底部生长第二外延层；以及利用所述第二假沟道孔测量所述第二外延层的高度。用不作为器件存储区的测量区的第二外延层的高度来等同存储区的第一外延层的高度，能够降低测量难度。
基本信息
专利标题 ：
一种测量方法和3D存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113192858A
申请号 ：
CN202110460001.4
公开（公告）日 ：
2021-07-30
申请日 ：
2021-04-27
授权号 ：
CN113192858B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
李锋锐邹远祥张伟
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202110460001.4
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L27/1157 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-08-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210427
申请日 : 20210427
2021-07-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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