单曝光式双能量X射线K边成象技术
视为撤回的专利申请
摘要
单曝光式双能量X射线K边投影成像方法使用普通的医用X射线源和特制的胶片暗盒，通过一次X射曝光即可获得两幅不同的胶片影像。影像胶片作常规的暗室处理后，送入专用的数字图象处理系统，实施能量减影，可以获得比传统的X射线投影成象探测到更多的病变信息。可广泛应用于胸腹、乳腺、以及心血管系统等成像诊断之中。
基本信息
专利标题 ：
单曝光式双能量X射线K边成象技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037972A
申请号 ：
CN88105409.7
公开（公告）日 ：
1989-12-13
申请日 ：
1988-05-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
章明韦钰
申请人 ：
东南大学
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
东南大学专利事务所
代理人 ：
陈昌柏
优先权 ：
CN88105409.7
主分类号 ：
G03B42/02
IPC分类号 ：
G03B42/02 G03B42/04 G03C3/00 A61B6/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03B
摄影、放映或观看用的装置或设备；利用了光波以外其他波的类似技术的装置或设备；以及有关的附件
G03B42/00
利用光波以外的波获得记录；这类记录利用光学装置的显像
G03B42/02
利用X射线
法律状态
1992-07-15 ：
视为撤回的专利申请
1989-12-13 ：
公开
1989-01-18 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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