二维密堆积半导体激光器列阵
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
二维密堆积半导体激光器列阵是一种光电子器件。由两层以上、每层排有两只以上大光腔半导体激光器组成。每层之间用银电极隔开,所有电极(包括中间电极和端电极)被粘接剂粘接固定。它具有体积小、功率大、效率高、结构及制造工艺简单、成本低及结构坚固等特点。可用于军事、工业、医疗等领域,以较小的体积提供较大功率的激光束。
基本信息
专利标题 :
二维密堆积半导体激光器列阵
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN88205798.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
1988-05-21
授权号 :
CN2033549U
授权日 :
1989-03-01
发明人 :
任大翠张兴德
申请人 :
长春光学精密机械学院
申请人地址 :
吉林省长春市朝阳区卫星路七号
代理机构 :
国家机械委军工专利事务所
代理人 :
曲博
优先权 :
CN88205798.7
主分类号 :
H01S3/23
IPC分类号 :
H01S3/23 H01S3/18
相关图片
法律状态
1992-09-16 :
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-12-06 :
授权
1989-03-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN2033549U.PDF
PDF下载