用于存储器装置的读出放大器驱动器
其他有关事项
摘要
一种用于存储器装置的读出放大器驱动器包括：将读出时钟反相的第一反相器；再将第一反相器的输出反相的第二反相器；由多个NMOS管组成的第三反相器，其晶体管的漏极共同接到读出放大器低电位端；位于第三反相器晶体管栅极间并与第二反相器输出端并联的延时电阻，使晶体管响应第二反相器的输出在不同时刻相继导通；下拉装置，用于至少将第三反相器中的一个NMOS管的栅极电压强行下拉到地电位。本发明可降低峰值电流并使操作功率保持最小。
基本信息
专利标题 ：
用于存储器装置的读出放大器驱动器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1048118A
申请号 ：
CN90104070.3
公开（公告）日 ：
1990-12-26
申请日 ：
1990-06-02
授权号 ：
CN1018402B
授权日 ：
1992-09-23
发明人 ：
徐承模
申请人 ：
韩商三星电子股份有限公司
申请人地址 ：
南朝鲜
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN90104070.3
主分类号 ：
G11C11/407
IPC分类号 ：
G11C11/407 G11C7/06
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
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G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
法律状态
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-06-23 ：
授权
1992-09-23 ：
审定
1990-12-26 ：
公开
1990-10-31 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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