一种铁电畴调控的光读出模式存储器
授权
摘要
本专利公开了一种铁电畴调控的光读出模式存储器。导电衬底上依次有二维半导体和铁电薄膜层。器件制备步骤是在导电衬底上制备二维半导体，然后制备铁电薄膜，随后利用压电力显微技术对二维半导体上的铁电薄膜写入周期性正‑反向畴结构，利用铁电电畴调控二维半导体WS2的光致发光强度。铁电畴极化向下区域的WS2发光强度明显强于极化向上的区域，利用荧光相机拍摄出的荧光相片呈现出与极化方向相对应的明暗区域，将这些明暗区域分别代表存储器的开态(“1”)和关态(“0”)，从而实现存储的目的。该类光电存储器具有结构简单，存储密度大，非易失性，保持特性良好，一次性可获得全部存储信息，摆脱传统读出电路限制的特点。
基本信息
专利标题 ：
一种铁电畴调控的光读出模式存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920411670.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-03-29
授权号 ：
CN209691401U
授权日 ：
2019-11-26
发明人 ：
王建禄吴广健王旭东沈宏林铁孟祥建褚君浩
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN201920411670.0
主分类号 ：
G11C11/22
IPC分类号 ：
G11C11/22 G11C13/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/22
应用铁电元件的
法律状态
2019-11-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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