一种双向晶闸管的烧结工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是一种用铬-镍-银形成的金属阻挡层改进双向晶闸管的烧结工艺。这种新的带有Cr·Ni·Ag阻挡层的烧结工艺，避免了烧结端n型硅被“吃掉”或被部分补偿现象，从根本上解决了烧结沾润不好和翻铝现象，而且烧结形成的合金结浅而平坦。因此，提高了器件烧结的成品率，改善了器件的通态压除、dv/dt耐量、反向阻断特性和参数一致性。该发明工艺先进，而且这种烧结工艺散热效果好，可以在硅片直径不变大的情况下使器件获得较大的功率，因此，将会创造一定的经济效益。
基本信息
专利标题 ：
一种双向晶闸管的烧结工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1062239A
申请号 ：
CN91104567.8
公开（公告）日 ：
1992-06-24
申请日 ：
1991-07-10
授权号 ：
CN1022595C
授权日 ：
1993-10-27
发明人 ：
赵善麒
申请人 ：
吉林大学
申请人地址 ：
130023吉林省长春市解放大路83号
代理机构 ：
吉林大学专利事务所
代理人 ：
张博然
优先权 ：
CN91104567.8
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 H01L21/58 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
1994-08-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-10-27 ：
授权
1992-06-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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