薄膜磁芯存储器及其制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
薄膜磁芯存储矩阵，具有大量设在基片上的各薄膜磁芯存储元件和X、Y、Z和信号感应线。这些线穿过各磁芯元件，连接在设于矩阵周围的各焊接点之间。各磁芯元件包括形成闭合磁路的底层极体和顶层极体。信号感应线耦合到用来放大各磁芯元件的读出信号的微型薄膜变压器。矩阵与变压器互相独立或者可互相组合成一个整体。若干矩阵可叠积形成一个三维存储装置。矩阵和变压器都采用集成电路制造技术制造。
基本信息
专利标题 ：
薄膜磁芯存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1069595A
申请号 ：
CN91105812.5
公开（公告）日 ：
1993-03-03
申请日 ：
1991-08-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林丰杰朱生勃
申请人 ：
马格涅斯公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
程天正
优先权 ：
CN91105812.5
主分类号 ：
G11C11/14
IPC分类号 ：
G11C11/14 H01F19/00 H01F41/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/14
应用薄膜元件的
法律状态
1998-11-18 ：
专利申请的视为撤回
1994-11-16 ：
实质审查请求的生效
1993-03-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
