材料表面改性用电子束蒸发金属离子源
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
材料表面改性用电子束蒸发金属离子源具有放电室(1)，阳极(2)，阴极(3)，磁场线圈(4)及(5)，坩埚(6)，放电室底座(7)，绝缘子(8)，屏蔽罩(9)，坩埚底座(10)，屏栅(11)，加速栅(12)，热屏蔽(13)，(14)及(15)，阴极杆(16)，阴极绝缘子(17)，阴极盖(18)，放电区(19)。它保留了离子束增强沉积的优点，克服了沉积速度低，不易加工大的工件等缺点。与其它镀膜方法相比，它具有高的结合强度和膜层质量(高能离子形成过渡层，低能离子辅助沉积)，与电弧离子镀相比，它克服了存在的粗颗粒沉积和结合力差二大缺陷。而在沉积速率与处理规模上可与之相比拟。
基本信息
专利标题 ：
材料表面改性用电子束蒸发金属离子源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1086853A
申请号 ：
CN93114890.1
公开（公告）日 ：
1994-05-18
申请日 ：
1993-11-24
授权号 ：
CN1035780C
授权日 ：
1997-09-03
发明人 ：
冯毓材
申请人 ：
中国科学院空间科学与应用研究中心
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村南2条1号
代理机构 ：
中科专利代理有限责任公司
代理人 ：
崔茹华
优先权 ：
CN93114890.1
主分类号 ：
C23C14/48
IPC分类号 ：
C23C14/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/48
离子注入
法律状态
2001-01-17 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-09-03 ：
授权
1994-05-18 ：
公开
1994-05-11 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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